半導體二極管、三極管參數測量

了解二極管和晶體管的參數，可以提高基於二極管和晶體管的電子電路工作的質量和可靠性，並在電子設備的維修和調整過程中定位故障位置。

半導體器件參數測試儀的主要計量特性在器件的前面板和護照上給出。

半導體二極管和晶體管參數測試儀根據以下標準分類：

• 按指示類型 - 模擬和數字，

• 預約——萬用表，半導體二極管、晶體管和集成電路（L2）參數的測量設備（測試儀），邏輯分析儀（LA）。

測試儀的主要計量特性有：裝置的用途、被測參數列表、參數的測量範圍、各參數的測量誤差。

半導體二極管、晶體管和模擬集成電路的適用性通過測量定性參數並隨後與參考參數進行比較來檢查。如果被測參數與參考參數相對應，則認為被測二極管、晶體管或模擬集成電路是合適的。

萬用表（模擬和數字）用於檢查二極管和晶體管中 p-n 結的完整性。此操作稱為“撥號”。

檢查二極管的健康狀況包括測量 p-n 結的正向和反向電阻。歐姆表首先將負探針連接到二極管的陽極，將正探針連接到陰極。開啟後，二極管的 p-n 結反向偏置，歐姆表將顯示以兆歐表示的高電阻。

然後鍵的極性反轉。歐姆表記錄了一個低正向 p-n 結電阻。低電阻表明二極管的 p-n 結在兩個方向上都損壞了。非常高的電阻表示 p-n 結中存在開路。

當使用數字萬用表“撥動”p-n 結時，會引入一個特殊的子範圍，由參數測量限位開關上的半導體二極管的常規圖形名稱表示。該模式下探頭的工作電壓對應0.2V，通過探頭的電流不超過1μA。這樣的電流，連最小的半導體都不可能擊穿。

在檢查雙極型晶體管時，必須記住它們有兩個 p-n 結，並且以與二極管相同的方式“振鈴”。一個探針連接到基極端子，第二個探針交替接觸集電極和發射極端子。

當“響鈴”晶體管時，使用數字萬用表的一項功能非常方便——測量電阻時，其探頭的最大電壓不超過 0.2 V。由於矽半導體的 p-n- 結在高於 0 的電壓下打開。 6V，然後用數字萬用表在電阻測量模式下，焊在板上的半導體器件的p-n結沒有打開。在這種模式下，數字萬用表與模擬萬用表不同，它只測量被測設備的電阻。在模擬萬用表中，此模式下的探頭電壓足以打開 p-n 結。

某些類型的萬用表允許您測量雙極晶體管的許多定性參數：

h21b (h21e) — 共基極（共發射極）電路中的電流傳遞係數，

Azsvo — 反向集電極電流（少數載流子電流、熱電流），

h22——輸出電導率。

L2 組的專業測試儀可以更有效地檢查二極管和晶體管的質量參數。

測試人員檢查的主要參數對於二極管和晶體管是不同的：

• 對於整流二極管——正向電壓 UKpr 和反向電流 AzCobra，

• 對於齊納二極管 — 穩定電壓 Uz，

• 對於雙極晶體管——傳輸係數z21，反向集電極Aznegov，輸出電導率hz2，極限頻率egr。

二極管主要質量參數的測量。

為了用測試儀L2測量二極管的質量參數，需要進行以下操作：

• 將 «Diode / Transistor» 開關切換到 «Diode» 位置，

• 將 «Mode» 開關切換到 «30» 位置，

• 將前面板上的 «> 0 <» 按鈕設置到 «I»Yes» 位置，

• 鍵“模式/測量。»設置為»測量。 » 並用測試儀後面板上的電位器 «> 0 <»，將指示箭頭設置為接近零標記，

• “模式/測量”鍵。設置到中間位置，

• 將被測二極管連接到觸點 «+» 和 «-»,

提供二極管反向電流測量模式，執行以下操作：

• “模式/測量”鍵。設置到 «Mode» 位置，使用 «Mode» 開關（範圍 30、100 和 400 V）和 «URV» 旋鈕，在設備指示器上設置所需的二極管反向電壓值，

• 返回鍵«模式/測量。»到初始位置並在設備指示器的 «10 U, I» 刻度上，通過使用右上角的開關 (0.1 — 1 — 10 — 100 mA) 選擇這樣的測量範圍來讀取反向電流的值，因此它是可以可靠地讀取指示器讀數。

測量二極管的正向電壓，對其進行如下操作：

• 將右下方的開關移至 «UR, V» 位置，

• 將右上角的開關轉到位置 «3 ~»，

• “模式/測量”鍵。使用 «Mode» 開關（範圍 30 和 100 mA）和 «Azn mA «根據設備指示器設置所需的直流電流值，設置為 «Mode» 位置，

• “模式/測量”鍵。設置為“測量”。在使用右上角的開關選擇這樣的測量範圍 (1 … 3 V) 後讀取 URpr 的值，以便可以計算指示器讀數。返回“模式/測量”鍵。到中間位置。

三極管主要質量參數的測量。

準備測試儀的工作，為此執行以下操作：

• 將 «Diode / Transistor» 開關設置為 «p-n-p» 或 «n-p-n» 位置（取決於被測晶體管的結構），

• 根據標記和端子位置將被測晶體管連接到支架，被測晶體管的發射極連接到觸點 E2，集電極連接到端子 «C»，基極連接至 «B»，

• 將右下方的開關設置到位置 «K3, h22»,

• 將右上角開關設置為 «▼ h» 位置，

• “模式/測量”鍵。設置為“測量”。並使用“▼ h”旋鈕，將指示器箭頭移動到“h22”刻度的“4”格，

• “模式/測量”鍵。設置為“測量”。並在設備指示器的刻度上讀取以 μS 為單位的輸出電導率 «h22» 的值。返回“模式/測量”鍵。到中間位置。

測量晶體管的電流傳遞係數，為此執行以下操作：

• 將右下方的開關設置到位置 «h21»,

• “模式/測量”鍵。設置為“測量”。並使用 «t / g» 鍵將指示器箭頭移動到 «h21v» 刻度的 «0.9» 格。返回 «Mode / Measurement» 鍵。到中間位置，

• 將右上角的開關設置到位置 «h21»,

• “模式/測量”鍵。設置為“測量”。在設備指示器的“h21b”或“h21e”刻度上，讀取“h21”值。返回“模式/測量”鍵。到中間位置。

通過執行以下操作測量少數載流子流：

• 將右下方的開關設置到位置«Azsvo, ma «,

• 模式/測量鍵。設置為“測量”。並在刻度“10 U，Az»設備指示器讀取集電極 Azsvo 的返回電流值，通過選擇測量範圍（0.1-1-10-100 mA）這樣一個範圍的開關，這樣你可以自信地閱讀證據。返回“模式/測量”鍵。到«測量»位置。